电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI1033X-T1-GE3

产品描述MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SI1033X-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI1033X-T1-GE3 - - 点击查看 点击购买

SI1033X-T1-GE3概述

MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V

SI1033X-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.145 A
最大漏极电流 (ID)0.145 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.28 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
Si1033X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
8 at V
GS
= - 4.5 V
- 20
12 at V
GS
= - 2.5 V
15 at V
GS
= - 1.8 V
20 at V
GS
= - 1.5 V
I
D
(mA)
- 150
- 125
- 100
- 30
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 1.5 V Rated
• High-Side Switching
• Low On-Resistance: 8
• Low Threshold: 0.9 V (typ.)
• Fast Switching Speed: 45 ns (typ.)
• 1.5 V Operation
• Gate-Source ESD Protected: 2000 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-89
BENEFITS
S1
1
6
D1
G1
D2
2
5
G2
S2
Marking Code: K
3
4
Ease in Driving Switches
Low Offset (Error) Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Low Battery Voltage Operation
Top View
Ordering Information:
Si1033X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
APPLICATIONS
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
• Battery Operated Systems
• Power Supply Converter Circuits
• Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
ESD
- 450
280
145
- 55 to 150
2000
- 155
- 110
- 650
- 380
250
130
mW
°C
V
5s
±5
- 145
- 105
mA
Steady State
- 20
Unit
V
Document Number: 71428
S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10
www.vishay.com
1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2515  260  1619  1987  1667  33  11  52  55  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved