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IPU25CNE8NG

产品描述OptiMOS㈢2 Power-Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小647KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPU25CNE8NG概述

OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPU25CNE8NG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)65 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IPU25CNE8NG相似产品对比

IPU25CNE8NG IPB26CNE8NG IPD25CNE8NG IPI26CNE8NG IPP26CNE8N IPP26CNE8NG
描述 OptiMOS㈢2 Power-Transistor OptiMOS㈢2 Power-Transistor OptiMOS㈢2 Power-Transistor OptiMOS㈢2 Power-Transistor OptiMOS㈢2 Power-Transistor OptiMOS㈢2 Power-Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 - 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-251 D2PAK TO-252 TO-262AA - TO-220AB
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 - GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数 3 4 4 3 - 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
雪崩能效等级(Eas) 65 mJ 65 mJ 65 mJ 65 mJ - 65 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 85 V 85 V 85 V 85 V - 85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 35 A 35 A 35 A 35 A - 35 A
最大漏极电流 (ID) 35 A 35 A 35 A 35 A - 35 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.026 Ω 0.025 Ω 0.026 Ω - 0.026 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 TO-263AB TO-252 TO-262AA - TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 - R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 - e3
元件数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 2 2 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 71 W 71 W 71 W 71 W - 71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 140 A 140 A 140 A - 140 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO YES YES NO - NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN - MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON

 
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