100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-Channel Power MOSFETs In JEDEC TO-259AA Package
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
| 零件包装代码 | TO-259AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-259AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |

| OM6024SC | OM6021SC | OM6022SC | OM6023SC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-Channel Power MOSFETs In JEDEC TO-259AA Package | 100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-Channel Power MOSFETs In JEDEC TO-259AA Package | 100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-Channel Power MOSFETs In JEDEC TO-259AA Package | 100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-Channel Power MOSFETs In JEDEC TO-259AA Package |
| 零件包装代码 | TO-259AA | TO-259AA | TO-259AA | TO-259AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknow | compli | compli |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 100 V | 200 V | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A | 35 A | 30 A | 15 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω | 0.065 Ω | 0.095 Ω | 0.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-259AA | TO-259AA | TO-259AA | TO-259AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A | 160 A | 120 A | 60 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | - | International Rectifier ( Infineon ) |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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