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MJE521

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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MJE521概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier

MJE521规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值40 W
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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®
MJE521
SILICON NPN TRANSISTOR
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
DESCRIPTION
The MJE521 is a silicon Epitaxial-Base NPN
transistor in Jedec SOT-32 plastic package.
It is intended for use in 5 to 20W audio amplifiers,
general purpose amplifier and switching circuits.
bs
O
I
C
I
CM
I
B
P
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T
stg
T
j
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l
o
ro
P
e
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s)
t(
O
-
so
b
te
le
ro
P
SOT-32
uc
d
3
2
1
s)
t(
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Parameter
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Total Dissipation at Tc
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
40
40
4
4
8
2
40
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
September 2003
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