30 A, 200 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204
30 A, 200 V, 0.09 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
最小击穿电压 | 200 V |
加工封装描述 | HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 圆 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | PIN/PEG |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | 金属 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 30 A |
额定雪崩能量 | 60 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0900 ohm |
最大漏电流脉冲 | 120 A |
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