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PZTA14H6327XTSA1

产品描述Darlington Transistors AF TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小516KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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PZTA14H6327XTSA1在线购买

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PZTA14H6327XTSA1概述

Darlington Transistors AF TRANSISTORS

PZTA14H6327XTSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)20000
JESD-30 代码R-PDSO-G4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz

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PZTA14
NPN Silicon Darlington Transistor
For general AF applications
High collector current
High current gain
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
4
2
1
3
Type
PZTA14
Maximum Ratings
Parameter
Marking
PZTA14 1=B
2=C
Pin Configuration
3=E
4=C
-
-
Package
SOT223
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
Value
30
30
10
300
500
100
200
1.5
150
-65 ... 150
Unit
V
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current,
t
p
10 ms
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
124 °C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
mA
W
°C
Value
17
Unit
Junction - soldering point
1)
K/W
1
For calculation of
R
thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
1
2011-10-04

 
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