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SI7615DN-T1-GE3

产品描述MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小186KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI7615DN-T1-GE3在线购买

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SI7615DN-T1-GE3概述

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7615DN-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PowerPAK-1212-8
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Id - Continuous Drain Current- 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage- 1.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage12 V
Qg - Gate Charge183 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
52 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.04 mm
长度
Length
3.3 mm
Transistor Type1 P-Channel
宽度
Width
3.3 mm
Forward Transconductance - Min70 S
Fall Time28 ns
Rise Time38 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time75 ns
Typical Turn-On Delay Time35 ns

 
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