P4C1299L-35LM,P4C1299L-35LM pdf中文资料,P4C1299L-35LM引脚图,P4C1299L-35LM电路-Datasheet-电子工程世界

P4C1299L-35LM: 产品描述Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28; 产品类别存储; 文件大小507KB，共9页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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P4C1299L-35LM概述

Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28

P4C1299L-35LM规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation
包装说明	QCCN, LCC28,.35X.55
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XQCC-N28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	28
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC28,.35X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0006 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

P4C1299L-35LM相似产品对比

	P4C1299L-35LM	P4C1299L-35JC	P4C1299L-35CC	P4C1299L-35CM	P4C1299L-35CMB	P4C1299L-35LC
描述	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDSO28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP28	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation
包装说明	QCCN, LCC28,.35X.55	SOJ, SOJ28,.34	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	DIP, DIP28,.3	QCCN, LCC28,.35X.55
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N	N	N	N	N
最长访问时间	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XQCC-N28	R-PDSO-J28	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-XQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
端子数量	28	28	28	28	28	28
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	QCCN	SOJ	DIP	DIP	DIP	QCCN
封装等效代码	LCC28,.35X.55	SOJ28,.34	DIP28,.3	DIP28,.3	DIP28,.3	LCC28,.35X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0006 A	0.0002 A	0.0002 A	0.0006 A	0.0006 A	0.0002 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.12 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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