4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24
4M × 4 快速页面模式动态随机存取存储器, 60 ns, PDSO24
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大供电/工作电压 | 5.5 V |
| 最小供电/工作电压 | 4.5 V |
| 额定供电电压 | 5 V |
| 最小存取时间 | 60 ns |
| 加工封装描述 | 0.300 INCH, SOJ-24 |
| 状态 | DISCONTINUED |
| 工艺 | CMOS |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子间距 | 1.27 mm |
| 端子涂层 | 锡 铅 |
| 端子位置 | 双 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 内存宽度 | 4 |
| 组织 | 4M × 4 |
| 存储密度 | 1.68E7 deg |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 4.19E6 words |
| 位数 | 4M |
| 存取方式 | FAST PAGE |
| 内存IC类型 | 快速页面模式动态随机存取存储器 |
| 端口数 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
