IS61NLF25618A-7.5B3I,IS61NLF25618A-7.5B3I pdf中文资料,IS61NLF25618A-7.5B3I引脚图,IS61NLF25618A-7.5B3I电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61NLF25618A-7.5B3I: 产品描述256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100; 产品类别存储存储; 文件大小416KB，共27页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61NLF25618A-7.5B3I概述

256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100

IS61NLF25618A-7.5B3I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	117 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.035 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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