电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IS61NVF25618A-7.5B3

产品描述256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小416KB,共27页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IS61NVF25618A-7.5B3概述

256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100

IS61NVF25618A-7.5B3规格参数

参数名称属性值
最大时钟频率117 MHz
功能数量1
端子数量100
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3.3 V
最小供电/工作电压3.14 V
最大供电/工作电压3.46 V
加工封装描述LEAD FREE, TQFP-100
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
sub_categorySRAMs
ccess_time_max7.5 ns
i_o_typeCOMMON
jesd_30_codeR-PQFP-G100
jesd_609_codee3
存储密度4.72E6 bi
内存IC类型ZBT SRAM
内存宽度18
moisture_sensitivity_level3
位数262144 words
位数256K
操作模式SYNCHRONOUS
组织256KX18
输出特性3-STATE
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeLQFP
ckage_equivalence_codeQFP100,.63X.87
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_260
wer_supplies__v_2.5/3.3,3.3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.6 mm
standby_current_max0.0350 Am
standby_voltage_mi3.14 V
最大供电电压0.1600 Am
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子位置QUAD
ime_peak_reflow_temperature_max__s_40
length20 mm
width14 mm
dditional_featureFLOW-THROUGH ARCHITECTURE

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 322  687  785  922  1664 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved