256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
参数名称 | 属性值 |
最大时钟频率 | 117 MHz |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大工作温度 | 85 Cel |
额定供电电压 | 3.3 V |
最小供电/工作电压 | 3.14 V |
最大供电/工作电压 | 3.46 V |
加工封装描述 | LEAD FREE, TQFP-100 |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
sub_category | SRAMs |
ccess_time_max | 7.5 ns |
i_o_type | COMMON |
jesd_30_code | R-PQFP-G100 |
jesd_609_code | e3 |
存储密度 | 4.72E6 bi |
内存IC类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 |
moisture_sensitivity_level | 3 |
位数 | 262144 words |
位数 | 256K |
操作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 256KX18 |
输出特性 | 3-STATE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
ckage_code | LQFP |
ckage_equivalence_code | QFP100,.63X.87 |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLATPACK, LOW PROFILE |
串行并行 | PARALLEL |
eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
wer_supplies__v_ | 2.5/3.3,3.3 |
qualification_status | COMMERCIAL |
seated_height_max | 1.6 mm |
standby_current_max | 0.0350 Am |
standby_voltage_mi | 3.14 V |
最大供电电压 | 0.1600 Am |
表面贴装 | YES |
工艺 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.6500 mm |
端子位置 | QUAD |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 40 |
length | 20 mm |
width | 14 mm |
dditional_feature | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
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