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IS61NVP51218A-250B2

产品描述512K X 18 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小636KB,共37页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61NVP51218A-250B2概述

512K X 18 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100

512K × 18 ZBT 静态随机存储器, 3.1 ns, PQFP100

IS61NVP51218A-250B2规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间3.1 ns
加工封装描述LEAD FREE, TQFP-100
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE TIN
端子位置QUAD
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度18
组织512K X 18
存储密度9.44E6 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数524288 words
位数512K
内存IC类型ZBT SRAM
串行并行PARALLEL
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