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IS61VF12836A-7.5B2I

产品描述128K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小522KB,共25页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61VF12836A-7.5B2I概述

128K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100

128K × 36 高速缓存 静态随机存储器, 7.5 ns, PQFP100

IS61VF12836A-7.5B2I规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间7.5 ns
加工封装描述20 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LQFP-100
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子位置QUAD
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织128K X 36
存储密度4.72E6 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型CACHE SRAM
串行并行PARALLEL

 
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