IS61VF51236A-6.5TQ,IS61VF51236A-6.5TQ pdf中文资料,IS61VF51236A-6.5TQ引脚图,IS61VF51236A-6.5TQ电路-Datasheet-电子工程世界

IS61VF51236A-6.5TQ: 产品描述512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100; 产品类别存储; 文件大小298KB，共35页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61VF51236A-6.5TQ概述

512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100

512K × 36 高速缓存静态随机存储器, 7.5 ns, PQFP100

参数名称	属性值
最大时钟频率	117 MHz
功能数量	1
端子数量	100
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3.3 V
最小供电/工作电压	3.14 V
最大供电/工作电压	3.46 V
加工封装描述	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, TQFP-100
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
sub_category	SRAMs
ccess_time_max	7.5 ns
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-PQFP-F100
jesd_609_code	e3
存储密度	1.89E7 bi
内存IC类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
moisture_sensitivity_level	3
位数	524288 words
位数	512K
操作模式	SYNCHRONOUS
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	QFF
ckage_equivalence_code	QFP100,.63X.87
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLATPACK
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	260
wer_supplies__v_	2.5/3.3,3.3
qualification_status	COMMERCIAL
seated_height_max	1.6 mm
standby_current_max	0.0750 Am
standby_voltage_mi	3.14 V
最大供电电压	0.2500 Am
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	MATTE TIN
端子形式	FLAT
端子间距	0.6500 mm
端子位置	QUAD
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	40
length	20 mm
width	14 mm
dditional_feature	PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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