256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ISSI(芯成半导体) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2-44 |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 85 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最小待机电流 | 1 V |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
IS62VV25616LL-85TI | IS62VV25616L | IS62VV25616LL-70T | IS62VV25616LL-85T | IS62VV25616LL-70M | IS62VV25616LL-85MI | IS62VV25616LL-70MI | IS62VV25616LL-85M | IS62VV25616LL-70TI | |
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描述 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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