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IS62VV25616LL-85TI

产品描述256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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文件大小54KB,共10页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS62VV25616LL-85TI概述

256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

IS62VV25616LL-85TI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000005 A
最小待机电流1 V
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)2.25 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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描述 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

 
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