Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5817A1G

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1N5817A1G: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小192KB，共4页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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1N5817A1G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

1N5817A1G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-204AL
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	20 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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1N5817 thru 1N5819

Taiwan Semiconductor

CREAT BY ART

FEATURES

- Low forward voltage drop

- Guardring for overvoltage protection

- High surge current capability

- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and

in accordance to WEEE 2002/96/EC

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Schottky Barrier Rectifier

MECHANICAL DATA

Case:

DO-204AL (DO-41)

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free

Terminal:

Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102

Meet JESD 201 class 1A whisker test,

Polarity:

Indicated by cathode band

Weight:

0.33 gram (approximately)

DO-204AL (DO-41)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

=25℃ unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)

@1A

Maximum reverse current @ rated VR

Typical junction capacitance (Note 2)

Voltage rate of change (Rated V

)

Typical thermal resistance

Operating junction temperature range

Storage temperature range

Note 1: Pulse test with PW=300

μs,

1% duty cycle

Note 2: Measure at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.

=25

℃

=100℃

SYMBOL

RRM

RMS

F(AV)

FSM

dV/dt

θJC

θJA

STG

0.45

1N5817

1N5818

0.55

10000

100

- 55 to +125

0.60

1N5819

Unit

V/μs

C/W

Document Number: D1307014

Version: F13

1N5817A1G相似产品对比

	1N5817A1G	1N5818A1	1N5818A1G	1N5819A1G	1N5819A1	1N5817A1
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	DO-41, 2 PIN	DO-41, 2 PIN	DO-41, 2 PIN	DO-41, 2 PIN	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-204AL	DO-204AL	DO-204AL	DO-204AL	DO-204AL	DO-204AL
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	20 V	30 V	30 V	40 V	40 V	20 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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