电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

JANSF2N7467U2

产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JANSF2N7467U2概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET

JANSF2N7467U2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/683
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

JANSF2N7467U2相似产品对比

JANSF2N7467U2 IRHNA53Z60 IRHNA58Z60 IRHNA54Z60 IRHNA57Z60 JANSR2N7467U2 JANSH2N7467U2 JANSG2N7467U2
描述 RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET RADIATION HARDENED POWER MOSFET
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compli unknow compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω 0.0035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
针数 3 3 3 3 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - -
厂商名称 - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
兆易GD32VF103 MCU的RISC-V评估开发板
[i=s] 本帖最后由 火辣西米秀 于 2021-7-25 11:14 编辑 [/i]1. 开发板介绍RV-STAR是一款基于GD32VF103 MCU的RISC-V评估开发板,提供了板载调试器、Reset和Wakeup用户按键、RGB LED、USB OTG,以及EXMC、Arduino和PMOD扩展接口等资源。图 1‑1 RV-STAR开发板示意图RV-STAR开发板及功能简介:微...
火辣西米秀 国产芯片交流
【转帖】如何测量电源纹波
[align=left][color=rgb(51, 51, 51)][font=Avenir, "][size=14px]对于硬件工程师来说,一些工具的使用也至关重要,工具使用的不当,往往导致得到的结果也是不正确的,可能会给硬件工程师一个错误的判断。本章就会列举出很多实用的关于硬件工程师必须要会的一些工具的使用方法和技巧。[/size][/font][/color][/align][al...
皇华Ameya360 电源技术
X86板之NTC929板子测评
[size=14px]拿到了心仪已久的X86系列的NTC929板子,打开包装,给人的感觉总是那么舒心和愉悦。拿到手了,进行简单测评一下。本板式一款高性能、低功耗3.5’的嵌入式工业主板,该板采用了Intel Siliverthorn+Poulsbo芯片组,板载IntelSilverthorn(Intel Atom Z530)处理器,主频为1.6GHZ,L2为512KB。板载8块DDR 533MHZ...
testlinlin 嵌入式系统
关于verilog功能仿真的实现
用verilog编写的测试程序对源程序进行功能仿真在quartus2中如何实现? 具体步骤是什么?...
cxning 嵌入式系统
2015年电赛预测
今年的电赛大概会出那些题目呢?...
zqq940825 电子竞赛
SensorTile大赛参选设计(第二篇):SensorTile套件相关的固件烧录和算法库注册
[i=s] 本帖最后由 zhaogong 于 2017-3-7 23:52 编辑 [/i][align=left][font=宋体]第二篇,紧接第一篇,这次介绍如何注册算法库和烧录官方的固件。不多说先来介绍如何注册。[/font][/align][align=left][font=宋体]连接上核心板和扩展版和安装官方[/font]APP[font=宋体](步骤可以参照我的上一篇,这里就不作详述了)...
zhaogong MEMS传感器

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 44  141  646  1294  1406 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved