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K4M283233H-HL75

产品描述1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
产品类别存储    存储   
文件大小141KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4M283233H-HL75概述

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

K4M283233H-HL75规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量90
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.13 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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