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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4M56163PG-RG90
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K4M56163PG-RG90

产品描述4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
产品类别存储    存储   
文件大小114KB，共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 全文预览

K4M56163PG-RG90概述

4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

K4M56163PG-RG90规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间7 ns
最大时钟频率 (fCLK)111 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）225
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.065 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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