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K8D1716UBB-YI08

产品描述16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小488KB,共40页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K8D1716UBB-YI08概述

16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

K8D1716UBB-YI08规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间80 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级1
部门数/规模8,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模8K,64K
最大待机电流0.000018 A
最大压摆率0.05 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
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