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RN2962FE: 产品描述Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小552KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2962FE概述

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2962FE规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

RN2962FE相似产品对比

	RN2962FE	RN2961FE	RN2966FE	RN2965FE	RN2964FE	RN2963FE
描述	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.37	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	30	80	80	80	70
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)

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