电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

7015L35JB

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
产品类别存储    存储   
文件大小186KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 全文预览

7015L35JB概述

Dual-Port SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

7015L35JB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
长度24.2062 mm
内存密度73728 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HIGH-SPEED
8K x 9 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features:
IDT7015S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 12/15/17/20/25/35ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
– Military: 20/25/35ns (max.)
Low-power operation
– IDT7015S
Active: 750mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7015L
Active: 750mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
IDT7015 easily expands data bus width to 18 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
Available in ceramic 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and an 80-
pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
OE
L
CE
L
R/W
L
OE
R
CE
R
R/W
R
I/O
0L
- I/O
8L
I/O
Control
BUSY
L
A
12L
A
0L
(1,2)
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
8R
BUSY
R
Address
Decoder
13
(1,2)
MEMORY
ARRAY
13
Address
Decoder
A
12R
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
SEM
L
(2)
INT
L
NOTES:
1. In MASTER mode:
BUSY
is an output and is a push-pull driver
In SLAVE mode:
BUSY
is input.
2.
BUSY
outputs and
INT
outputs are non-tri-stated push-pull drivers.
M/S
2954 drw 01
SEM
R
(2)
INT
R
JANUARY 2002
1
©2002 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 2954/6
交换开发板
1.Freescale FRDM-KE02Z Kinetis E系列Freedom开发平台 原装正品 263257 2.NuTiny-SDK-NUC472开发板【nuvoton新唐ARM Cortex-M4单片机】 263259 3.NuTiny-SDK-NUC240开发板 263260 ...
3637320230 淘e淘
关于定时器通道的问题
我使用的是MSP430G2553,我希望使用定时器TimerA0通道1的中断,按照用户手册所说,为了设定定时时间,应该设置TACCR1,并在中断中根据TAIV来判断是否是TACCR1导致的中断。但是我在实验过程中发 ......
John 微控制器 MCU
小熊派-鸿蒙-季 BearPi-HM Nano开发板测评0 开箱及开发环境搭建
本帖最后由 symic 于 2022-3-20 19:42 编辑 很开心也很意外能得到小熊派-鸿蒙-季 BearPi-HM Nano开发板的测评机会。感谢南京小熊派智能科技有限公司和EEWORLD给的这次机会。快递寄得也很快, ......
symic Linux开发
供应各类单片机、ARM、CPLD、FPGA、DSP开发板及经典学习资料光碟
你可能还在为入门单片机、ARM、DSP、CPLD、FPGA而烦恼,你可能还在为寻找一份好的工作而焦虑,你可能还在为摸索一条学习捷径而困惑,身处信息时代的你准备好了吗,如果还没有没关系,我们网站为 ......
louis0712 ARM技术
深圳坂田招硬件工程师10K
产品方向:物联网设备 要求:2年以上工作经验,熟悉单片机及周围电路设计,熟悉串口,485,SPI,AD等通信接口设计。熟悉无线通信的应用。能独立调试电路解决问题。 上班在深圳坂田地铁站旁边 ......
tangpingcuan 工作这点儿事
求windows ce.net 程序设计的源码
谁有windows ce.net 程序设计的源码? 作者姜波,能给我发一份吗?小弟万分感激! 我的邮箱是03xsxmj@163.com...
625wangpeng 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1669  307  406  2481  1513  32  57  11  4  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved