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1N5819-F

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共1页
制造商Rectron
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1N5819-F概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41

1N5819-F规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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