Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FFM101-MH

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FFM101-MH: 产品描述Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小65KB，共2页; 制造商FORMOSA; 官网地址http://www.formosams.com/; 标准

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FFM101-MH概述

Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type

FFM101-MH规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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Formosa MS

FFM101-MH THRU FFM107-MH

Chip Silicon Rectifier

Fast recovery type

Features

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame

Retardant Epoxy Molding Compound.

For surface mounted applications.

Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /

228

Low leakage current.

SOD-123H

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.012(0.3) Typ.

0.071(1.8)

0.055(1.4)

0.035(0.9)

0.028(0.7)

Mechanical data

Case : Molded plastic, JEDEC SOD-123H

Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity : Indicated by c athode band

Mounting P

osition : Any

Weight : 0.0393 gram

0.031(0.8) Typ.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

(AT T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Forward rectified current

Forward surge current

CONDITIONS

Ambient temperature = 55

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC methode)

= V

RRM

Symbol

FSM

MIN.

TYP.

MAX.

1.0

5.0

100

UNIT

Reverse current

Thermal resistance

Diode junction capacitance

Storage temperature

STG

-55

= V

RRM

= 100 C

Junction to ambient

f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage

C / w

+150

SYMBOLS

MARKING

CODE

RRM

RMS

Operating

temperature

(

(V)

FFM101-MH

FFM102-MH

FFM103-MH

FFM104-MH

FFM105-MH

FFM106-MH

FFM107-MH

100

200

400

600

800

1000

(V)

140

280

420

560

700

(V)

100

200

400

600

800

1000

(V)

(nS)

150

*1 Repetitive peak reverse voltage

1.3

250

500

-55 to +150

*2 RMS voltage

*3 Continuous reverse voltage

*4 Maximum forward voltage

*5 Reverse recovery time

FFM101-MH相似产品对比

	FFM101-MH	FFM102-MH	FFM103-MH	FFM104-MH	FFM105-MH	FFM106-MH	FFM107-MH
描述	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type	Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V	1.3 V
JESD-30 代码	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A	30 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	50 V	100 V	200 V	400 V	600 V	800 V	1000 V
最大反向恢复时间	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.25 µs	0.5 µs	0.5 µs
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	FORMOSA	FORMOSA	FORMOSA	FORMOSA	FORMOSA	-

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