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1N5615S2F

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共4页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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1N5615S2F概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N5615S2F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTIFIER, up to 1kV, 2A,
150-500ns
1N5615 thru 1N5623
S2F thru S0F
January 7, 1998
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com
© 1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320

1N5615S2F相似产品对比

1N5615S2F 1N5617S4F 1N5623S0F 055U1R5F251PT-A 25T08AI-B
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 250V, 1% +Tol, 1% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000015uF, 0606, TRIACs
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 -
包装说明 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 HERMETIC SEALED PACKAGE-2 , 0606 -
针数 2 2 2 - -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - -
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e4 -
元件数量 1 1 1 - -
端子数量 2 2 2 2 -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND - -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM SMT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 1000 V - -
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs 0.5 µs - -
表面贴装 NO NO NO - -
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Palladium/Silver (Pd/Ag) -
端子形式 WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
Base Number Matches 1 1 1 - -
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