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1N5819/65

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小390KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5819/65概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

1N5819/65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5817 thru 1N5819
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifiers
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Very small conduction losses
• Extremely fast switching
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
DO-204AL (DO-41)
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity
protection applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
1.0 A
20 V, 30 V, 40 V
25 A
0.45 V, 0.55 V, 0.60 V
125 °C
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
L
= 90 °C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Voltage rate of change (rated V
R
)
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
T
J
, T
STG
1N5817
20
14
20
24
1N5818
30
21
30
36
1.0
25
10 000
- 65 to + 125
1N5819
40
28
40
48
UNIT
V
V
V
V
A
A
V/µs
°C
Document Number: 88525
Revision: 20-Aug-07
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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