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1N4446VG

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小176KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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1N4446VG概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon

1N4446VG规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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