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TC58NVG2S0FBAI4: 产品描述NAND Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM; 产品类别存储; 文件大小714KB，共66页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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TC58NVG2S0FBAI4概述

NAND Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM

TC58NVG2S0FBAI4规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)
产品种类 Product Category	NAND Flash
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-63
Memory Size	4 Gbit
接口类型 Interface Type	Parallel
Organization	512 M x 8
Timing Type	Synchronous
Data Bus Width	8 bit
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.7 V
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V
Supply Current - Max	30 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
系列 Packaging	Tray
Memory Type	NAND
产品 Product	NAND Flash
速度 Speed	25 ns
Architecture	Block Erase
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	210

TC58NVG2S0FBAI4相似产品对比

	TC58NVG2S0FBAI4	TC58NVG2S0FTAI0	TC58NVG2S0FTA00
描述	NAND Flash 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM	Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM	NAND Flash 4Gb SLC NAND Flash Memory EEPROM
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
产品种类 Product Category	NAND Flash	Flash Memory	NAND Flash
RoHS	Details	Details	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-63	TSOP-48	TSOP-48
Memory Size	4 Gbit	4 Gbit	4 Gbit
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel
Organization	512 M x 8	512 M x 8	512 M x 8
Timing Type	Synchronous	Synchronous	Synchronous
Data Bus Width	8 bit	8 bit	8 bit
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.7 V	2.7 V	2.7 V
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V	3.6 V	3.6 V
Supply Current - Max	30 mA	30 mA	30 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C
系列 Packaging	Tray	Tray	Tray
Memory Type	NAND	NAND	NAND
速度 Speed	25 ns	25 ns	25 ns
Architecture	Block Erase	Block Erase	Block Erase
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	210	96	96
产品 Product	NAND Flash	-	NAND Flash

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