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TP2104N3-P014

产品描述MOSFET 40V 6Ohm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小563KB,共6页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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TP2104N3-P014在线购买

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TP2104N3-P014概述

MOSFET 40V 6Ohm

TP2104N3-P014规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSN
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 40 V
Id - Continuous Drain Current- 250 mA
Rds On - Drain-Source Resistance6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
740 mW
Channel ModeEnhancement
高度
Height
5.33 mm
长度
Length
5.21 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 P-Channel
类型
Type
FET
宽度
Width
4.19 mm
Fall Time4 ns
Rise Time4 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
Typical Turn-Off Delay Time5 ns
Typical Turn-On Delay Time4 ns
单位重量
Unit Weight
0.007760 oz

TP2104N3-P014相似产品对比

TP2104N3-P014 TP2104N3-P013 TP2104N3 TP2104N3-P002
描述 MOSFET 40V 6Ohm MOSFET 40V 6Ohm MOSFET 40V 6Ohm MOSFET 40V 6Ohm
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS N N N N
技术
Technology
Si Si Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 40 V - 40 V - 40 V - 40 V
Id - Continuous Drain Current - 250 mA - 250 mA - 250 mA - 250 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 6 Ohms 6 Ohms 6 Ohms 6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V 20 V 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
Configuration Single Single Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
740 mW 740 mW 740 mW 740 mW
Channel Mode Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
高度
Height
5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm
长度
Length
5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal
Transistor Type 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel
类型
Type
FET FET FET FET
宽度
Width
4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm
Fall Time 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns
Rise Time 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000 2000 1000 2000
Typical Turn-Off Delay Time 5 ns 5 ns 5 ns 5 ns
Typical Turn-On Delay Time 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns
单位重量
Unit Weight
0.007760 oz 0.007760 oz 0.007760 oz 0.007760 oz

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