Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MMBTA 56 LT1

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MMBTA 56 LT1: 产品描述Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小523KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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MMBTA 56 LT1概述

Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A

MMBTA 56 LT1规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-23-3
Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V
Maximum DC Collector Current	0.5 A
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
高度 Height	1(Max) mm
长度 Length	2.9 mm
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Reel
宽度 Width	1.3 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	330 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
单位重量 Unit Weight	0.000282 oz

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SMBTA56/MMBTA56

PNP Silicon AF Transistor

•

Low collector-emitter saturation voltage

•

Complementary type: SMBTA06 / MMBTA06(NPN)

•

Pb-free (RoHS compliant) package

•

Qualified according AEC Q101

Type

SMBTA56/MMBTA56

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Marking

s2G

1=B

Pin Configuration

2=E

Symbol

CEO

CBO

EBO

tot

stg

Symbol

thJS

Package

SOT23

Value

500

100

200

330

150

°C

Unit

3=C

Peak collector current,

≤

10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

≤

79°C

Junction temperature

Storage temperature

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

-65 ... 150

Value

≤

215

Unit

K/W

For calculation of

thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

2011-08-05

MMBTA 56 LT1相似产品对比

	MMBTA 56 LT1	SMBTA-56-E6433	SMBTA 56 E6327
描述	Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A	Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT	-
RoHS	Details	Details	-
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-23-3	SOT-23-3	-
Transistor Polarity	PNP	PNP	-
Configuration	Single	Single	-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	80 V	-
Collector- Base Voltage VCBO	80 V	80 V	-
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	4 V	-
Maximum DC Collector Current	0.5 A	0.5 A	-
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	100 MHz	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C	- 65 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	-
高度 Height	1(Max) mm	1 mm	-
长度 Length	2.9 mm	2.9 mm	-
系列 Packaging	Reel	Reel	-
宽度 Width	1.3 mm	1.3 mm	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	330 mW	330 mW	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000	10000	-
单位重量 Unit Weight	0.000282 oz	0.000282 oz	-

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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