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SI4467DY-T1-E3

产品描述MOSFET 12V 12A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4467DY-T1-E3在线购买

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SI4467DY-T1-E3概述

MOSFET 12V 12A 2.5W

SI4467DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

SI4467DY-T1-E3相似产品对比

SI4467DY-T1-E3 SI4467DY SI4467DY-E3
描述 MOSFET 12V 12A 2.5W MOSFET 12V 12A 2.5W MOSFET 12V 12A 2.5W
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single -
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JESD-609代码 e3 e0 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL -
表面贴装 YES YES -
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) -
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