MOSFET 12V 12A 2.5W
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 12 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.011 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
SI4467DY-T1-E3 | SI4467DY | SI4467DY-E3 | |
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描述 | MOSFET 12V 12A 2.5W | MOSFET 12V 12A 2.5W | MOSFET 12V 12A 2.5W |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | - |
最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JESD-609代码 | e3 | e0 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
表面贴装 | YES | YES | - |
端子面层 | MATTE TIN | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
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