Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
制造商包装代码 | 135AR |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.75 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 160 MHz |
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