电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

TPC8A04-H(TE12L,Q)

产品描述MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TPC8A04-H(TE12L,Q)概述

MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A

TPC8A04-H(TE12L,Q)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.9 W
表面贴装YES

TPC8A04-H(TE12L,Q)相似产品对比

TPC8A04-H(TE12L,Q) TPC8A04-H(TE12L,QM
描述 MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8 MOQ=3000 V=30 PD=1.9W F=1MHZ

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 39  425  525  1083  1541 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved