MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.9 W |
表面贴装 | YES |
TPC8A04-H(TE12L,Q) | TPC8A04-H(TE12L,QM | |
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描述 | MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8 MOQ=3000 V=30 PD=1.9W F=1MHZ |
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