Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> TN0104N3-G-P003

TN0104N3-G-P003: 产品描述MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小601KB，共7页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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TN0104N3-G-P003概述

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TN0104N3-G-P003规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	450 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	740 mW
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
高度 Height	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm
产品 Product	MOSFET Small Signal
Transistor Type	1 N-Channel
宽度 Width	4.19 mm
Fall Time	5 ns
Rise Time	7 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz

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Supertex inc.

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FET

►

TN0104

Features

Low threshold (1.6V max.)

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

General Description

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor

utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven,

silicon-gate manufacturing process. This combination produces a

device with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and thermally-

induced secondary breakdown.

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where very low threshold

voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input

capacitance, and fast switching speeds are desired.

►

Applications

Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drives

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

Ordering Information

Device

TN0104

Package Options

TO-92

TN0104N3-G

TO-243AA (SOT-89)

TN0104N8-G

(Die in wafer form)

Wafer / Die Options

(Die on adhesive tape)

(Die in waffle pack)

TN1504NW

TN1504NJ

TN1504ND

For packaged products, -G indicates package is RoHS compliant (‘Green’). Devices in Wafer / Die form are RoHS compliant (‘Green’).

Refer to Die Specification VF15 for layout and dimensions.

Product Summary

Device

TN0104N3-G

TN0104N8-G

DSS

/BV

DGS

(V)

Pin Configurations

DS(ON)

(max)

(Ω)

D(ON)

(min)

(A)

GS(th)

(max)

(V)

DRAIN

1.8

2.0

1.6

DRAIN

SOURCE

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage temperature

TO-92 (N3)

Value

DSS

DGS

±20V

-55

C to +150

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Product Marking

SiTN

01 04

YYWW

YY = Year Sealed

WW = Week Sealed

= “Green” Packaging

TO-92 (N3)

TN1LW

Package may or may not include the following marks: Si or

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

W = Code for Week Sealed

= “Green” Packaging

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Supertex inc.

1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089

Tel: 408-222-8888

www.supertex.com

TN0104N3-G-P003相似产品对比

	TN0104N3-G-P003	TN0104N3-P013	TN0104N3-G P002	TN0104N3-P003	TN0104N3-P002-G	TN0104N3-G P005
描述	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 40V 1.8Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 40V 1.8Ohm	MOSFET 40V 1.8Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-
RoHS	Details	N	Details	N	Details	-
技术 Technology	Si	Si	Si	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	-
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	-
Id - Continuous Drain Current	450 mA	2.4 A	450 mA	2.4 A	2.4 A	-
Rds On - Drain-Source Resistance	5 Ohms	1.8 Ohms	5 Ohms	1.8 Ohms	1.8 Ohms	-
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	-
Configuration	Single	Single	Single	Single	Single	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	740 mW	1 W	740 mW	1 W	1 W	-
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-
高度 Height	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-	-
长度 Length	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-	-
产品 Product	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	-
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	-
宽度 Width	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-	-
Fall Time	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	-
Rise Time	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	2000	2000	2000	2000	-
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	-
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns	-
单位重量 Unit Weight	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	-

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