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SI4948EY-E3

产品描述MOSFET 60V 3.1A 2.4W
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小81KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4948EY-E3概述

MOSFET 60V 3.1A 2.4W

SI4948EY-E3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
系列
Packaging
Tube
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
宽度
Width
3.9 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100
单位重量
Unit Weight
0.006596 oz

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Si4948EY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
(Ω)
0.120 at V
GS
= - 10 V
0.150 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 3.1
± 2.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
D
1
Ordering Information:
Si4948EY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4948EY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
± 3.1
± 2.6
± 30
- 2.0
2.4
1.7
- 55 to 175
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Symbol
R
thJA
Limit
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Document Number: 70166
S09-1389-Rev. F, 20-Jul-09
www.vishay.com
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