70V9359L9BF: 产品描述SRAM 8K x 18 Sync, 3.3V Dual-Port RAM, Pipelined/Flow-Through; 产品类别存储存储; 文件大小188KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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70V9359L9BF概述

SRAM 8K x 18 Sync, 3.3V Dual-Port RAM, Pipelined/Flow-Through

70V9359L9BF规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	CABGA
包装说明	10 X 10 MM, 1.4 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, FBGA-100
针数	100
制造商包装代码	BF100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	9 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B100
JESD-609代码	e0
长度	10 mm
内存密度	147456 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA100,10X10,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.003 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

Features:

◆

IDT70V9359/49L

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

– Commercial: 6.5/7.5/9ns (max.)

– Industrial: 7.5ns (max.)

Low-power operation

– IDT70V9359/49L

Active: 450mW (typ.)

Standby: 1.5mW (typ.)

Flow-Through or Pipelined output mode on either port via

the

FT/PIPE

pins

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆

Full synchronous operation on both ports

– 3.5ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and

address inputs

– Data input, address, and control registers

– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode

– Self-timed write allows fast cycle time

– 10ns cycle time, 100MHz operation in Pipelined output mode

Separate upper-byte and lower-byte controls for

multiplexed bus and bus matching compatibility

LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is

available for 83 MHz

Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and 100-

pin Fine Pitch Ball Grid Array (fpBGA) packages

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

0/1

/PIPE

0/1

1b 0b

b a

1a 0a

0a 1a

0b 1b

0/1

/PIPE

I/O

-I/O

17L

I/O

-I/O

I/O

Control

I/O

-I/O

17R

I/O

Control

I/O

-I/O

12L

(1)

CLK

Counter/

Address

Reg.

MEMORY

ARRAY

Counter/

Address

Reg.

12R

(1)

CLK

ADS

CNTEN

CNTRST

ADS

CNTEN

CNTRST

5638 drw 01

NOTE:

1. A

is a NC for IDT70V9349.

JULY 2010

DSC-5638/5

70V9359L9BF相似产品对比

	70V9359L9BF	70V9359L6PF8	70V9359L7BFI	70V9359L6PF	70V9359L7BF	70V9359L7PFI
描述	SRAM 8K x 18 Sync, 3.3V Dual-Port RAM, Pipelined/Flow-Through	SRAM 8K X 18 SYNC DP SRAM	SRAM 8K x 18 Sync, 3.3V Dual-Port RAM, Pipelined/Flow-Through	SRAM 8K X 18 SYNC DP SRAM	SRAM 8K x 18 Sync, 3.3V Dual-Port RAM, Pipelined/Flow-Through	SRAM 8K X 18 SYNC DP SRAM
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	CABGA	TQFP	CABGA	TQFP	CABGA	TQFP
包装说明	10 X 10 MM, 1.4 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, FBGA-100	TQFP-100	10 X 10 MM, 1.4 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, FBGA-100	14 X 14 MM, 1.4 MM HEIGHT, TQFP-100	10 X 10 MM, 1.4 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, FBGA-100	14 X 14 MM, 1.4 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100	100	100	100	100	100
制造商包装代码	BF100	PN100	BF100	PN100	BF100	PN100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	9 ns	15 ns	7.5 ns	6.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B100	S-PQFP-G100	S-PBGA-B100	S-PQFP-G100	S-PBGA-B100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	10 mm	14 mm	10 mm	14 mm	10 mm	14 mm
内存密度	147456 bit	147456 bit	147456 bit	147456 bit	147456 bit	147456 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	100	100	100	100	100	100
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	8KX18	8KX18	8KX18	8KX18	8KX18	8KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFQFP	LFBGA	LFQFP	LFBGA	LFQFP
封装等效代码	BGA100,10X10,32	QFP100,.63SQ,20	BGA100,10X10,32	QFP100,.63SQ,20	BGA100,10X10,32	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	240	225	240	225	240
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.6 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.003 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.23 mA	0.33 mA	0.33 mA	0.33 mA	0.28 mA	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	20
宽度	10 mm	14 mm	10 mm	14 mm	10 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	-	1	1

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