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1N6659R

产品描述Rectifiers UFR,FRR
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6659R概述

Rectifiers UFR,FRR

1N6659R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流10 A
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/616
DEVICES
LEVELS
1N6657
1N6658
1N6659
1N6657R
1N6658R
1N6659R
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
T
C
= +100°C
Symbol
V
RWM
I
F
I
FSM
R
θjc
Value
100
150
200
15
150
2.3
Unit
Vdc
Adc
A(pk)
°C/W
TO-254
Average Forward Current
(1)
Peak Surge Forward Current
Thermal Resistance - Junction to Case
Note:
(1) Derate @ 300mA/°C above T
C
= 100°C
(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle
2%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Breakdown Voltage
(2)
I
R
= 500µAdc
Forward Voltage
(2)
I
F
= 10Adc
I
F
= 20Adc
Reverse Leakage Current
(2)
V
R
= 100V
V
R
= 150V
V
R
= 200V
Reverse Leakage Current
V
R
= 100V, T
C
= +100°C
V
R
= 150V, T
C
= +100°C
V
R
= 200V, T
C
= +100°C
Reverse Recovery Time
I
F
= 1.0A, I
R
= 1A, I
RR
= 100mA
Junction Capacitance
V
R
= 10Vdc, f = 1.0MHz, V
SIG
= 50mV(p-p) max
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
V
BR
V
F1
V
F2
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
1N6657, R
1N6658, R
1N6659, R
100
150
200
1.0
1.2
Vdc
1N6657, 1N6658, 1N6659
Symbol
Min.
Max.
Unit
1
2
3
Vdc
I
R1
10
µAdc
1
2
3
1N6657R, 1N6658R, 1N6659R
I
R2
1.0
mAdc
t
rr
C
J
35
150
nS
pF
T4-LDS-0068 Rev. 1 (082207)
Page 1 of 1

1N6659R相似产品对比

1N6659R 1N6658 CSC12A0110R0JPA
描述 Rectifiers UFR,FRR Rectifiers UFR,FRR Res Net,Thick Film,10 Ohms,100WV,5% +/-Tol,-250,250ppm TC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子数量 3 3 12
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SIP
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
零件包装代码 TO-254AA TO-254 -
包装说明 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 -
针数 3 3 -
Is Samacsys N N -
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V -
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 -
最大非重复峰值正向电流 250 A 300 A -
元件数量 2 - 11
相数 1 1 -
最大输出电流 10 A 20 A -
封装主体材料 METAL METAL -
封装形状 SQUARE SQUARE -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 200 V 150 V -
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs -
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG -
端子位置 SINGLE SINGLE -
Base Number Matches 1 1 -
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