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1N4150-GT3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
标准
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1N4150-GT3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

1N4150-GT3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Data Sheet 2769, Rev. -
1N4150
FAST SWITCHING DIODE
Features
!
!
!
!
Fast Switching Speed
Glass Package Version for High Reliability
High Conductance
Available in Both Through-Hole and Surface
Mount Versions
A
B
A
C
D
1N4150
Mechanical Data
!
!
!
!
!
Case: DO-35
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight:
DO-35
0.13 grams
Marking: Cathode Band Only
Dim
A
B
C
D
Min
DO-35
Max
Min
Max
25.40
4.00
0.60
2.00
in mm
1.000
0.157
0.024
0.079
In inch
Maximum Ratings
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with
Resistive Load and f
50MHz (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Derate Above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
I
O
P
d
T
j
, T
STG
Value
Unit
75
V
600
200
500
-65 to +200
mA
mA
mW
°C
Data Sheet 2769, Rev. -
Electrical Characteristics
Characteristic
Maximum Forward Voltage
Maximum Peak Reverse Current
Capacitance
Reverse Recovery Time
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Symbol
V
FM
I
RM
C
j
t
rr
Min
Max
1.0
0.1
4.0
4.0
Unit
V
µA
pF
ns
Test Condition
I
F
= 200mA
V
R
= 50V
V
R
= 0, f = 1.0MHz
I
F
= 10mA to I
R
= 1.0mA
V
R
= 6.0V, R
L
= 100Ω
Note: 1. Diode on Ceramic Substrate 10mm x 8mm x 0.7mm.
221 West Industry Court
!
Deer Park, NY 11729-4681
!
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com
E-Mail Address - sales@sensitron.com

1N4150-GT3相似产品对比

1N4150-GT3 1N4150-T3
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
零件包装代码 DO-35 DO-35
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2
针数 2 2
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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