电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

70101S20J

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX9, 20ns, CMOS, PQCC52
产品类别存储    存储   
文件大小787KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 全文预览

70101S20J概述

Multi-Port SRAM, 1KX9, 20ns, CMOS, PQCC52

70101S20J规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
内存密度9216 bi
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间6
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2282  1319  1482  1073  136  46  27  30  22  3 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved