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7132LA100CB: 产品描述SRAM 16K(2KX8)CMOS DUALPORT RA; 产品类别存储存储; 文件大小219KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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SRAM 16K(2KX8)CMOS DUALPORT RA

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SB
包装说明	DIP, DIP48,.6
针数	48
制造商包装代码	SB48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
Samacsys Description	SIDEBRAZE 600 MIL
最长访问时间	100 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e0
长度	60.96 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	48
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535
座面最大高度	4.826 mm
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY