CY7C1313KV18-250BZCT,CY7C1313KV18-250BZCT pdf中文资料,CY7C1313KV18-250BZCT引脚图,CY7C1313KV18-250BZCT电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1313KV18-250BZCT: 产品描述SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小623KB，共33页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1313KV18-250BZCT概述

SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM

CY7C1313KV18-250BZCT规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.25 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

CY7C1313KV18-250BZCT相似产品对比

	CY7C1313KV18-250BZCT	CY7C1315KV18-250BZIT	CY7C1315KV18-250BZCT
描述	SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM	SRAM Sync SRAMs	SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 512Kx36 QDR II SRAM
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	-	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40	-	LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A
最长访问时间	0.45 ns	-	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz	-	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE	-	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	-	e0
长度	15 mm	-	15 mm
内存密度	18874368 bit	-	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM
内存宽度	18	-	36
湿度敏感等级	3	-	3
功能数量	1	-	1
端子数量	165	-	165
字数	1048576 words	-	524288 words
字数代码	1000000	-	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C
组织	1MX18	-	512KX36
输出特性	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	-	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	235	-	235
电源	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	-	1.4 mm
最大待机电流	0.25 A	-	0.25 A
最小待机电流	1.7 V	-	1.7 V
最大压摆率	0.44 mA	-	0.59 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	-	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	-	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	1.8 V
表面贴装	YES	-	YES
技术	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL
端子节距	1 mm	-	1 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20
宽度	13 mm	-	13 mm

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