IDT72V3636L15PF,IDT72V3636L15PF pdf中文资料,IDT72V3636L15PF引脚图,IDT72V3636L15PF电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72V3636L15PF: 产品描述Bi-Directional FIFO, 512X36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128; 产品类别存储; 文件大小315KB，共36页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT72V3636L15PF概述

Bi-Directional FIFO, 512X36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT72V3636L15PF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-128
针数	128
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	10 ns
其他特性	AUTO POWER DOWN; MAILBOX
最大时钟频率 (fCLK)	66.7 MHz
周期时间	15 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	128
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512X36
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP128,.63X.87,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.0004 A
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT72V3636L15PF相似产品对比

	IDT72V3636L15PF	IDT72V3636L10PF
描述	Bi-Directional FIFO, 512X36, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Bi-Directional FIFO, 512X36, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP
包装说明	TQFP-128	TQFP-128
针数	128	128
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	10 ns	6.5 ns
其他特性	AUTO POWER DOWN; MAILBOX	AUTO POWER DOWN; MAILBOX
最大时钟频率 (fCLK)	66.7 MHz	100 MHz
周期时间	15 ns	10 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0	e0
长度	20 mm	20 mm
内存密度	18432 bit	18432 bit
内存集成电路类型	BI-DIRECTIONAL FIFO	BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度	36	36
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	128	128
字数	512 words	512 words
字数代码	512	512
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	512X36	512X36
可输出	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP
封装等效代码	QFP128,.63X.87,20	QFP128,.63X.87,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.0004 A	0.001 A
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20
宽度	14 mm	14 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多