EEPROM Auto 64Kb SPI bus EEPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 14 weeks |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 4000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 145 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.004 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 4 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| M95640-DWDW4TP/K | M95640-DRMN3TP-K | M95640-DRDW3TP/K | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM Auto 64Kb SPI bus EEPROM | EEPROM Auto 64Kb SPI bus EEPROM | EEPROM Auto 64Kb SPI bus EEPROM |
| Brand Name | STMicroelectronics | - | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | - | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 | - | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数 | 8 | - | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| Factory Lead Time | 14 weeks | - | 14 weeks |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz | - | 5 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | - | 40 |
| 耐久性 | 4000000 Write/Erase Cycles | - | 4000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm | - | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | - | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 |
| 字数 | 8192 words | - | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | - | 8000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 145 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 | - | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | - | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 | - | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/5 V | - | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 | - | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI | - | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000002 A | - | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.004 mA | - | 0.005 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | - | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | - | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3 mm | - | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 4 ms | - | 4 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | - | HARDWARE/SOFTWARE |
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