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7007L55JGB8

产品描述Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68
产品类别存储   
文件大小164KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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7007L55JGB8概述

Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

7007L55JGB8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明LCC-68
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
内存密度262144 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式J BEND
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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