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MG15D4GM1

产品描述TECHNICAL DATA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小323KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MG15D4GM1概述

TECHNICAL DATA

MG15D4GM1规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D11
针数11
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-D11
元件数量4
端子数量11
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MG15D4GM1相似产品对比

MG15D4GM1 MG15D4HM1 MG15D6EM1
描述 TECHNICAL DATA TECHNICAL DATA TECHNICAL DATA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D11 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D11 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D15
针数 11 11 15
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N
配置 COMPLEX COMPLEX COMPLEX
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A 15 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PUFM-D11 R-PUFM-D11 R-PUFM-D15
元件数量 4 4 6
端子数量 11 11 15
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A 30 A 30 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
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