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TS25P07G

产品描述Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt 300 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小202KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TS25P07G在线购买

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TS25P07G概述

Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt 300 Amp IFSM

TS25P07G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys DescriptionBridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt 300 Amp IFSM
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流350 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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TS25P01G - TS25P07G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
25A, 50V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- Typical I
R
less than 0.1μA
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
+
~
~ –
TS-6P
MECHANICAL DATA
Case:
TS-6P
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Mounting torque:
8.17 in-lbs. maximum
Weight:
7.15 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 12.5 A
@ 25 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
TS25P TS25P TS25P TS25P TS25P TS25P TS25P
01G
50
35
50
02G
100
70
100
03G
200
140
200
04G
400
280
400
25
350
508
1.0
1.1
10
500
0.6
- 55 to +150
- 55 to +150
05G
600
420
600
06G
800
560
800
07G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
μA
°C/W
°C
°C
Version: O1601
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