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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMA10AT148
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FMA10AT148

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB，共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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FMA10AT148在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
FMA10AT148 - - 点击查看 点击购买

FMA10AT148概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA

FMA10AT148规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-74A
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)33
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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UMA10N / FMA10A
Transistors
General purpose (dual digital transistors)
UMA10N / FMA10A
!
Features
1) Two DTA113Z chips in a UMT package.
!
External dimensions
(Units : mm)
(4)
(3)
UMA10N
0.2
0.65 0.65
1.3
0.8
1.1
2.9
0.9
(6)
!
Equivalent circuits
0.15
1.25
2.1
UMA10N
(3)
R
1
R
2
(2)
R
2
(1)
R
1
FMA10A
(3)
R
1
R
2
(4)
R
2
(5)
R
1
(1)
0.1Min.
(4)
(6)
(2)
(1)
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
JEDEC : SOT-353
0~0.1
Each lead has same dimensions
FMA10A
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
(1)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
UMA10N
FMA10A
Junction temperature
Storage temperature
∗
1 120mW per element must not be exceeded.
∗
2 200mW per element must not be exceeded.
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
Pd
Tj
Tstg
Limits
−50
−10
5
−100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
−50~+150
Unit
V
0.15
1.6
2.8
V
mA
mW
°C
°C
∗
1
∗
2
0.3Min.
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
0~0.1
Each lead has same dimensions
!
Package, marking, and packaging specifications
Part No.
Package
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
UMA10N
UMT5
A10
TR
3000
FMA10A
SMT5
A10
T148
3000
!
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
Min.
−
−3.0
−
−
−
33
0.7
8
−
Typ.
−
−
−0.1
−
−
−
1.0
10
250
Max.
−0.3
−
−0.3
−7.2
−0.5
−
1.3
12
−
Unit
V
V
mA
µA
−
kΩ
−
MHz
Conditions
V
CC
=−5V
, I
O
=−100µA
V
O
=−0.3V
, I
O
=−20mA
I
O
/I
C
=−10mA/−0.5mA
V
I
=−5V
V
CC
=−50V
, V
I
=0V
V
O
=−5V
, I
O
=−5mA
−
−
V
CC
=−10V
, I
E
=5mA,
f=100MHz
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
∗
Transition frequency of the device.
∗
(5)
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(4)
(3)
0.7
2.0
(2)

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