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BC847BWT1

产品描述Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小138KB,共13页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BC847BWT1概述

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN

BC847BWT1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码419-04
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.0024 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

BC847BWT1相似产品对比

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描述 Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SC-70 SC-70 SC-70 SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CASE 419-04, SC-70, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3
制造商包装代码 419-04 419-04 419-04 419-04
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 30 V 65 V 65 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 200 110 200
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e3 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 260 240
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
最大功率耗散 (Abs) 0.0024 W 0.0024 W - 0.0024 W
Base Number Matches 1 1 - 1
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