Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SC-70 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 419-04 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 45 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.0024 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
Base Number Matches | 1 |
BC847BWT1 | BC848BWT1 | BC846AWT1G | BC846BWT1 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SC-70 | SC-70 | SC-70 | SC-70 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 419-04 | 419-04 | 419-04 | 419-04 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 45 V | 30 V | 65 V | 65 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 | 200 | 110 | 200 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 | 260 | 240 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 40 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
最大功率耗散 (Abs) | 0.0024 W | 0.0024 W | - | 0.0024 W |
Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 |
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