电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BS170RL1G

产品描述MOSFET 60V 500mA N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BS170RL1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BS170RL1G - - 点击查看 点击购买

BS170RL1G概述

MOSFET 60V 500mA N-Channel

BS170RL1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
制造商包装代码29-11
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.5 A
最大漏极电流 (ID)0.5 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BS170RL1G相似产品对比

BS170RL1G BS170RLRM BS170RLRP BS170RLRA BS170ZL1G BS170RL1 BS170RLRPG
描述 MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET 60V 500mA N-Channel
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 29-11 29-11 CASE 29-11 29-11
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e1 e0 e0 e0 e1 e0 e1
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 240 240 240 260 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.83 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 30 30 40 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Brand Name ON Semiconductor - - ON Semiconductor ON Semiconductor - ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 - - 含铅 不含铅 - 不含铅
高人请指点
#include#define uchar unsigned charuchar codeseg7[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};uchar second ,minute,hour,count,m,num,num1,i,s,f;void delay()delay1s(){uchar a,b,c;for(c=3;c>0;...
dorna 嵌入式系统
PIC18F97J60以太网调试程序
我现在正在调试PIC18F97J60单片机的板子,请问其中以太网通信调试程序怎么编写啊?...
仰望天空小 Microchip MCU
电子产品安全距离及其要求
所谓安全距离,就是为保护人在使用电子产品的时候,危险电压带电部分与人不能轻易接 触到,也不能让它来引起危险导致威胁人身安全。 因此必须在一般情况下,安全距离是在产品设计中最重要的部分之一。检查安全距离从设 计阶段开始。结构检查人员会首先检查PCB板上的安全距离(最好拿空的PCB板用透明薄尺 本文介绍了安全距离的有关概念...
fighting 模拟电子
CS8900不能初始化,请高手指点一下
有谁做过TI的430以太网,就是easyweb那个解决方案,我的cs8900A始终不能初始化,在这个循环里跳不出来:doWrite8900(ADD_PORT, PP_SelfST);// set registerwhile (!(Read8900(DATA_PORT)INIT_DONE));// wait until chip-reset is done哪位高手指点一下,不胜感激!...
MARS敏 微控制器 MCU
适应周围的环境,学着改善自己
[align=left][u][color=#000][backcolor=white][font=宋体]如果你确实个性张扬,怕被人排挤,就应该适应周围的环境,学着改善自己。[/font][/backcolor][/color][color=#000][font=simsun][/font][/color][color=#000][backcolor=white][font=宋体]首先,你语言不要...
佳人若璇 工作这点儿事
我的VS2005怎么了?新建工程不行,打开工程不行(只限智能设备工程),报这样的错误"从用户数据存储中检索信息时出错。XML文档必须包含一个顶层元素".好怪!
我的VS2005怎么了?新建工程不行,打开工程不行(只限智能设备工程),报这样的错误"从用户数据存储中检索信息时出错。XML文档必须包含一个顶层元素".好怪!...
tulao 嵌入式系统

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 687  863  1137  1573  1638 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved