SRAM X18 18M 2.5V CORE ZBT SLO
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Integrated Device Technology |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | PBGA |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 |
| 针数 | 119 |
| 制造商包装代码 | BG119 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| Samacsys Description | PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH |
| 最长访问时间 | 8.5 ns |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 90 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 119 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.36 mm |
| 最大待机电流 | 0.04 A |
| 最小待机电流 | 2.38 V |
| 最大压摆率 | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 71T75902S85BG8 | 71T75902S75BG8 | 71T75902S75PFGI8 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM X18 18M 2.5V CORE ZBT SLO | SRAM X18 18M 2.5V CORE ZBT SLO | SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M |
| Brand Name | Integrated Device Technology | Integrated Device Technology | Integrated Device Technology |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | PBGA | PBGA | TQFP |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 | LQFP, |
| 针数 | 119 | 119 | 100 |
| 制造商包装代码 | BG119 | BG119 | PKG100 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| Samacsys Description | PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH | PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH | TQFP 14.0 X 20.0 X 1.4 MM |
| 最长访问时间 | 8.5 ns | 7.5 ns | 7.5 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 |
| 长度 | 22 mm | 22 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 119 | 119 | 100 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 1MX18 | 1MX18 | 1MX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | LQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 260 |
| 座面最大高度 | 2.36 mm | 2.36 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | BALL | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| 其他特性 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 90 MHz | 100 MHz | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | - |
| 电源 | 2.5 V | 2.5 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大待机电流 | 0.04 A | 0.04 A | - |
| 最小待机电流 | 2.38 V | 2.38 V | - |
| 最大压摆率 | 0.225 mA | 0.275 mA | - |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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